Authentifiacation

Référence et coordonnées

Références

Kassmi

Khalil

Professeur d’Enseignement Supérieur (PES)

Maroc

Oujda

Université Mohammed Premier - Oujda . Faculté des Sciences - Oujda


Coordonnées

Faculté des Sciences, Département de Mathématiques, code postal : 60000

06 65 40 31 49

khkassmi@yahoo.fr

Formation supérieure

Doctorat d’Etat

Electronique

Université Mohammed Premier, Faculté des sciences - Oujda

1996


Doctorat d'université

Electronique

Université Paul Sabatier, Toulouse - France

1991


Langue

Arabe; Anglais; Français;

Domaines de compétence
Processus technologique de réalisation des composants électroniques; Caractérisation électrique des composants électroniques; Physique électronique des semi-conducteurs et des composants; Modélisation des cellules photovoltaïques; Systèmes photovoltaïques
Projets de recherche
Projet
Composants électroniques en polymère (organiques), cellules et systèmes photovoltaïques
Mots clès
Polymère, Systèmes photovoltaïques, Composants électroniques organiques, Énergie solaire

Production Scientifique et technologique

Communication

#1
Kassmi K., Maimouni R. . Interface state degradation of metal/ultra-thin oxide/semiconductor structures under electron injections at high field In : The 13 th international conference on microelectronics , 29-10-2001, Ecole Mohammadia d’Ingenieurs, Rabat
#2
Kassmi K., Aziz A., Maimouni R. . Modeling of the influence of trapped charges in oxide on I(V) characteristics of metal /ultra-thin oxide/semiconductor structures In : Second arab congress on material sciences , 25-10-2001, Rabat, Morocco
#3
Khlifi Y., Kassmi K., Roubi L., Maimouni R. . Excess current oscillations analysis of metal / ultra-thin oxide / semiconductor structures In : 7 émes journées maghrébines des sciences des matériaux , 19-09-2000, Kénitra, Maroc
#4
Kassmi K., Maimouni R. . Réalisation et caractérisation des structures métal/oxynitrure/semiconducteur In : 7 émes journées maghrébines des sciences des matériaux , 20-09-2000, Kénitra, Maroc
#5
Charki H., Kassmi K., Benali A., Vapaille A. . Model for Si-- Doped field effect transistor (-Fet) In : 7 émes journées maghrébines des sciences des matériaux , 20-09-2000, Kénitra, Maroc
#6
Khlifi Y., Kassmi K., Roubi L., Maimouni R. . Propriétés électriques des structures métal/isolant/semiconducteur In : Mediterranean conference on electronics and automatic control , 17-09-1998, Marrakech, Maroc
#7
Kassmi K., Maimouni R., Aziz A. . Modélisation de l’influence des charges sur les caractéristiques I(V) des structures métal/ oxyde ultra-mince /semiconducteur In : 2èmes journées d’étude surface et interface dans les composants électroniques et optoélectroniques , 26-04-2001, Mohammedia, Maroc
#8
Kassmi K., Maimouni R. . Relation entre les charges positives stockées dans la couche d’oxyde des structures MOS et la création des états d’interface In : 2èmes journées d’étude ‘surface et interface dans les composants électroniques et optoélectroniques , 26-04-2001, Mohammedia, Maroc
#9
Charki H., Kassmi K., Benali A., Vapaille A. . Ion implantation in molecular-beam epitaxy Si layers (Si-MBE) In : 2èmes journées d’étude surface et interface dans les composants électroniques et optoélectroniques , 26-04-2001, Mohammedia, Maroc

Article de périodique

#1
Kassmi K., Maimouni R., Sarrabayrouse G. . Modeling of the influence of trapped charges in oxide on I(V) characteristics of metal / ultra thin oxide. Semiconductor structures , .
#2
Khlifi Y., Kassmi K., Maimouni R. . Fowler-Nordheim current modeling of metal / ultra-thin oxide / semiconductor structures in inversion regime. Solid state electronics , .
#3
Khlifi Y., Kassmi K., Maimouni R. . Irradiation effect on the current-voltage characteristics of metal / ultra-thin oxide / semiconductor structures. Eur JAP , .
#4
Khlifi Y., Kassmi K., Roubi L., Maimouni R. . Fowler-Nordheim current oscillations analysis of metal / ultra-thin oxide / semiconductor structures. Phys. Stat. Sol. , 2000.
#5
Khlifi Y., Kassmi K., Roubi L., Maimouni R. . Modeling of current-voltage characteristics of metal/ ultra-thin oxide/ semiconductor structures. Eur Phys J.AP , 2000.
#6
Khlifi Y., Kassmi K., Roubi L., Maimouni R. . Computed of exact and approximate models of electric properties of metal / insulator/semiconductor structures, Maxwell-Boltzmann approximation validation. Moroccan journal of condensed mater journal , 2000.
#7
Khlifi Y., Kassmi K., Roubi L., Maimouni R. . Modeling of Fowler-Nordheim current of metal / ultra-thin oxide /semiconductor structures. Moroccan journal of condenser mater journal , 2000.
#8
Kassmi K., Maimouni R., Sarrabayrouse G. . Ionizing irradiation effect on the current-voltage characteristics of the metal/ultra-thin oxide /semiconductor structures. Eur Phys J.AP. , 1999.
#9
Temple Boyer P., Olivie F., Kassmi K., Scheid E., Sarrabayrouse G., Martinez A. . Electrical characteristics of thin silica layers nitrided by LPCVD nitrogen doped silicon. Solid state electronics , 1997.