Authentifiacation

Référence et coordonnées

Références

Ahaitouf

ali

Professeur d’Enseignement Supérieur (PES)

Maroc

Fès

Université Sidi Mohammed Ben Abdellah - Fès . Faculté des Sciences et Techniques Sais - Fès


Coordonnées

BP 509 Boutalamine FST Errachidia, Errachidia

05 35 61 13 26

05 35 60 82 14

ali_ahitouf@yahoo.fr

Formation supérieure

Doctorat d’Etat

Physique Electronique

Université Sidi Mohamed Ben Abdellah.Faculté des Sciences et Techniques Saïss - Fès

1998


Doctorat d'université

Electronique

Université de Metz

1992


Langue

Arabe; Anglais; Français;

Domaines de compétence
Microélectronique;Electronique des composants;Physique des Composants;Physique des Semi conducteurs;Conception de circuits intégrés numériques et analogiques;Simulation
Projets de recherche
Projet
Action intégrée MA/01/14
Mots clès
Films minces;Électronique

Projet
Protars Physique III D12/16
Mots clès
Mise en place d'un Dispositif expérimental;Intensité d'électroluminescence

Projet
Convention CNR/CNRS
Mots clès
Optimisation ;Dispositifs;Télécommunications optiques

Projet
Action intégrée Maroc-tunisie 54/MT/06
Mots clès
Architecture;Convertisseurs sigma delta;Applications audio

Projet
Action intégrée Maroc-tunisie
Mots clès
Architecture;Convertisseurs sigma delta;Applications audio

Actions auprès des organismes privés/publiques
Action
Formation
Durée
40h
Date de réalisation
Organisme
CDD
Mots clès
Formation;Employés;Conception numérique

Action
ST Microelectronics
Durée
-
Date de réalisation
Organisme
-
Mots clès
DESS;MASTER;Microélectronique

Production Scientifique et technologique

Communication

#1
Ahaitouf A . Communication orale In : The First Morocco Korea bilateral symposium polymers, materials & nano-Technology , 21-11-2004, Ifrane
#2
M. Eliaoui;P. Thévenin;A.Ahaitouf;A. Bath;E. Abarkan . Modeling of IR transmission of thin films at oblique incidence. Application to BN films and influence of their texturation In : The 8th International Conference On Condensed Matter And Statistical Physics 8th ICCMSP , 21-09-2004, Marrakech
#3
M. Jorio;M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;E. Abarkan . The 8th International Conference On Condensed Matter And Statistical Physics 8th ICCMSP In : Correlation between band gap energy and currents by Electroluminescence measurements in GaAs p-n junctions under avalanche breakdown , 21-09-2004, Marrakech
#4
M.Eliaoui;P.Thevenin;A.Ahaitouf;G. Orsal;A.Bath;M.Fontana . Modélisation de la transmission IR de films minces en incidence oblique. Application à des dépôts de BN, et influence de leur texturation In : Journée Couche Minces Ferroélectriques (JCF) , 08-09-2003, Bordeaux
#5
A.AHAITOUF), A. AHAITOUF, M. LAHBABI, M. FLIYOU, E. ABARKAN, A. HOFFMANN ET J.P. CHARLES . Electroluminescence analysis of neutron irradiation of JFETs In : The 13th International Conference on Microelectronics , 29-10-2001, Rabat
#6
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;OUF;M. Jorio;M. Fliyou;E. Abarkan . An Indirect Interband Recombination Model For Electroluminescence Spectra Analyses Obtained From a Silicon Junctions in Avalanche Breakdown Using- temperature Effect In : E- MRS 2001, Spring Meeting , 05-06-2001, Strasbourg
#7
M. Jorio;M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;E. Abarkan . Modélisation des spectres d’électroluminescence des jonctions p-n au GaAs polarisées en régime d’avalanche In : 4èmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 15-04-2004, Fès
#8
M. Eliaoui;P. Thevenin;A. Ahaitouf;A. Bath . Expression de la fonction diélectrique de films minces de h-BN texturés, pour la modélisation de leurs spectres de transmission IR en incidence oblique In : 4èmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 15-04-2004, Fès
#9
M. Eliaoui;P.Thevenin;A. Lousa;A. Ahaitouf;A. Bathb . Caractérisation par sonde de Langmuir d’un plasma d’azote et d’argon pour la synthèse de films de nitrure de bore cubique In : Séminaire de l'école doctoral Energie Mécanique Matériaux (EMMA) , 07-04-2003, Nancy
#10
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Jorio;M. Fliyou;E. Abarkan . Etude des effets de l’irradiation sur l’intensité d’électroluminescence des jonctions p-n au silicium sous polarisation inverse In : Rencontre thématique sur les systèmes dynamiques et systèmes complexes , 18-09-2003, Casablanca
#11
M.Eliaoui;P.Thevenin;A.Ahaitouf;G.Orsal;A.Bath;M.Fontana . Modélisation de la transmission IR en incidence oblique de films minces nano-cristallisés, influence de leur texturation dans l’expression de la fonction diélectrique effective du milieu In : Colloque Francophone: Innovation dans l’élaboration et les Application des Couches Minces (IEACM) , 18-11-2003, Nancy
#12
M. Eliaoui;P. Thevenin;A. Ahaitouf;A. Bath . Caractérisation par spectroscopie infrarouge de films minces de nitrure de bore synthétisés par PECVD In : Journée scientifique dans le cadre du Contrat Plan Etat Région (CPER) , 02-04-2002, Supélec Metz
#13
M. Lahbabi;A. Ahatouf;M. Jorio;M. Fliyou;E. Abarkan . Effet de l’irradiation sur l’intensité d’électroluminescence des jonctions p-n sous polarisation directe In : Rencontre thématique sur les semi-conducteurs, surfaces et interfaces , 18-09-2002, Marrakech
#14
M. Lahbabi;A. Ahatouf;M. Jorio;M. Flyou;E. Abarkan . Effet de l’irradiation sur l’intensité d’électroluminescence des jonctions p-n sous polarisation directe In : IIIèmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 18-10-2002, Kenitra
#15
M. Lahbabi;A. Ahatouf;M. Jorio;M. Flyou;E. Abarkan . Effet de l’irradiation sur l’intensité d’électroluminescence des jonctions p-n sous polarisation directe In : IIIèmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 18-10-2002, Kenitra
#16
M. Jorio;M. Lahbabi;A. Ahatouf;M. Fliyou;E. Abarkan . Mise en évidence de l’effet du champ électrique sur la largeur de la bande interdite à partir des mesures d’électroluminescence In : IIIèmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 19-10-2002, Kenitra
#17
M.Eliaoui;P.Thevenin;A.Ahaitouf;A.Bath . Études et modélisation de la transmission en incidence oblique dans l’infra-rouge de films minces de nitrure de bore hexagonal In : IIIèmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 18-10-2002, Kenitra
#18
M.Elliaoui;P.Thevenin;A.Ahaitouf;A.Bath . Études et modélisation de la transmission en incidence oblique dans l’infra-rouge de films minces de nitrure de bore hexagonal In : IIIèmes Journées d’Optique et de traitement de l’information , 18-10-2002, Kenitra
#19
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;M. Jorio;E. Abarkan . Effet de l'irradiation aux neutrons rapides sur l'électroluminescence des jonctions p-n au silicium polarisées en régime d'avalanche In : 2èmes Journées Surfaces et Interfaces dans les Composants Electroniques et Optoélectroniques , 26-04-2001, Mohammedia
#20
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;M. Jorio;E. Abarkan . Effet de l'irradiation aux neutrons rapides sur l'électroluminescence des jonctions p-n au silicium polarisées en régime d'avalanche In : 2èmes Journées Surfaces et Interfaces dans les Composants Electroniques et Optoélectroniques , 26-04-2001, Mohammedia

Article de périodique

#1
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;E. Abarkan;J.-P. Charles;A.Bath;A. Hoffmann;S.Kerns;D.V.Kerns . Analysis of electroluminescence spectra of silicon and gallium arsenide. J.Appl. Phys , 2004.
#2
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;M. Jorio;E. Abarkan . Temperature effect on electroluminescence specta of silicon p-n junctions under avalanche breakdown condition. Mat. Sci. Engin , 2002.
#3
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;M. Jorio;E. Abarkan . Temperature effect on electroluminescence specta of silicon p-n junctions under avalanche breakdown condition. Mat. Sci. Engin , 2001.
#4
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;E. Abarkan;A. Hoffmann;J.-P. Charles;S.Kerns;D.V.Kerns . Simulation of GaAs Electroluminescence Spectra Using Self-absorption, and Interband Recombination Model. Jr.Appl. Phy. Lett , 2002.
#5
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;E. Abarkan;A. Hoffmann;J.-P. Charles;S.Kerns;D.V.Kerns . Simulation of GaAs Electroluminescence Spectra Using Self-absorption, and Interband Recombination Model. Jr.Appl. Phy. Lett , 2002.
#6
M. Lahbabi;A. Ahaitouf;M. Fliyou;E. Abarkan;A. Hoffmann;J.-P. Charles;S.Kerns;D.V.Kerns . Analyses of Electroluminescence Spectra of Silicon Junctions in Avalanche Breakdown Using an Indirect Interband Recombination Model. Jr.Appl. Phy. Lett , 2000.