Authentifiacation

Référence et coordonnées

Références

Benaissa

Mohammed

Professeur Habilité (ProH)

Maroc

Rabat

. Centre National pour la Recherche Scientifique et technique


Coordonnées

CNRST-IMIST Angle Allal Al Fassi et Avenue des FAR, Hay Ryad, BP 8027 10102. Rabat

benaissa@cnrst.ma

Formation supérieure

Doctorat d'université

Physique des Matériaux

Université Louis Pasteur Strasbourg - France

1994


Langue

Arabe; Anglais; Espagnol; Français;

Domaines de compétence
Physique nanostructurale ; Nanomatériaux ; couches minces (épitaxiées) - Surfaces et Interfaces ; Optoélectronique ; Microscopie Electronique
Projets de recherche
Projet
Unités d’Appui Technique à la Recherche Scientifique
Mots clès
UATRS; Travaux relatifs à des expertises; Etudes et Activités de recherche

Projet
Nitrures pour l´optoélectronique
Mots clès
Semi conducteurs à base de GaN; Nanostructure et propriétés optoélectroniques

Production Scientifique et technologique

Communication

#1
Benaissa Mohammed . On the effect of high Mg doping on the polarity of GaN, Microscopy of Semiconducting Materials In : Institute of Physics Conference , 02-03-2001, Oxford
#2
Benaissa Mohammed . The role of a vicinal substrate in the study of GaN QDs, Electron Microscopy In : Proceedings of the 16th International Microscopy Congress , 01-09-2006, Sapporo - Japan

Article de périodique

#1
Benaissa Mohammed . Investigation of AlN films grown on vicinal Si(111) as templates for GaN quantum dots. Applied Physics Letters , 2006.
#2
Benaissa Mohammed . Atomic structure of pyramidal defects in Mg-doped GaN. Physical Review B , 2003.
#3
Benaissa Mohammed . Influence of high Mg doping on the microstructural and optoelectronic properties of p-type GaN. Materials Science and Engineering B , 2002.
#4
Benaissa Mohammed . Structural Defects and Relation with Optoelectronic Properties in Highly Mg-Doped GaN. Physica Status Solidi (a) , 2002.
#5
Benaissa Mohammed . The atomic sThe atomic structure of ?=33{144}<011>(?=20.05°) tilt grain boundary in germanium. Scripta Materialia , 2001.
#6
Benaissa Mohammed . Structural change induced at an atomic scale by equilibrium sulfur segregation in tilt germanium Grain-Boundaries. Philosophical Magazine B , 2000.
#7
Bellihi Hassan . Electron energy-loss spectroscopy characterization of pyramidal defects in metalorganic vapor-phase epitaxy Mg-doped GaN thins films. Applied Physics Letters , 2000.
#8
Benaissa Mohammed . Pyramidal defects in metalorganic vapor phase epitaxial Mg doped GaN. Applied Physics Letters , 2000.