Authentifiacation

Référence et coordonnées

Références

Touhami

Abdelkader

Professeur Habilité (ProH)

Maroc

Casablanca

Université Hassan II - Casablanca . Faculté des Sciences Ain chock - Casablanca


Coordonnées

Km 8, route d´El Jadida, Maarif, Casablanca, Mohammadia

abdelkader_touhami@yahoo.fr

Formation supérieure

Doctorat d’Etat

Electronique

faculté des sciences ain chock - Casablanca

2004


Diplôme d’Etudes Supérieures (DES)

Microélectronique

Faculté des sciences ain chock - Casablanca

1994


Langue

Arabe; Français;

Domaines de compétence
Modélisation des composants électronique; Modélisation des courants de fuites dans les transistors MOS
Production Scientifique et technologique

Article de périodique

#1
Touhami A., Bouhdada A. . Impact of interface traps o gate-induced drain leakage current in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor . International journal of electronics , 2005.
#2
Touhami A., Bouhdada A. . The n-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor bias impact on the modelling of gate-induced drain leakage current. Semiconductor science and technology , 2002.